Литий-ионный Powerwall

Обычно солнечные элементы из кристаллического кремния изготавливаются на высококачественных-кремниевых пластинах толщиной 350–450 мкм, выпиленных из вытянутых или отлитых кремниевых слитков.

Вышеупомянутые методы фактически потребляют больше кремниевого материала. В целях экономии материала химическое осаждение из паровой фазы (CVD) в настоящее время является наиболее распространенным методом, используемым для производства тонкопленочных элементов поликристаллического кремния, включая химическое осаждение из паровой фазы при-низком давлении (LPCVD) и химическое осаждение из паровой фазы,-усиленное плазмой (PECVD). Жидкостная-фазовая эпитаксия (LPPE) и напыление также могут использоваться для производства тонкопленочных элементов из поликристаллического кремния.

В CVD в качестве газа-реагента в основном используются SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4 или SiH4. В защитной атмосфере атомы кремния реагируют с образованием атомов кремния, которые затем осаждаются на нагретую подложку. Материалы подложки обычно включают Si, SiO2 и Si3N4. Однако исследования показали, что формирование крупных зерен на не-кремниевых подложках затруднено, а между зернами легко образуются зазоры.

Решение этой проблемы состоит в том, чтобы сначала нанести тонкий слой аморфного кремния на подложку с помощью LPCVD, а затем отжечь этот слой для получения более крупных зерен. Затем на этот затравочный кристалл наносят толстые тонкие пленки поликристаллического кремния. Поэтому технология рекристаллизации, несомненно, является ответственным шагом. В настоящее время основными используемыми технологиями являются твердофазная кристаллизация и рекристаллизация с плавлением в средней-зоне. В дополнение к процессу рекристаллизации в тонкопленочных элементах из поликристаллического кремния также используются почти все методы, используемые для производства солнечных элементов из монокристаллического кремния. Это значительно повышает эффективность преобразования получаемых солнечных элементов.